Hãng Samsung (Hàn Quốc) vừa cho công bố một loại thể loại  RAM mới tên "RAM giả tĩnh", được dự kiến sử dụng cho các thiết bị 3G và những model ĐTDĐ giàu tính năng.

"RAM giả tĩnh" (pseudostatic RAM) có dung lượng 256MB, được sản xuất trên dây chuyền công nghệ 90nm, và được xem là loại RAM giả tĩnh đầu tiên của ngành công nghiệp sản xuất RAM.

Về bản chất, "RAM giả tĩnh" là loại DRAM có mạch điện tự "làm tươi" (fresh) giống như loại "RAM tĩnh" (static-RAM). Samsung gọi loại RAM này là UtRAM.

UtRAM 256-Mbit có xung nhịp 133-MHz, và có thể hoạt động độc lập hoặc là một thành phần quan trọng trong các gói đa chip (MCP).

Theo đại diện của Samsung, hãng sẽ chuyển mẫu UtRAM đầu tiên cho các nhà sản xuất điện thoại di động vào cuối tháng này để cuối năm 2005 có thể sản xuất hàng loạt.